RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3147
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link