RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
21.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
17.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
4042
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link