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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
21.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
17.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
4042
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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