RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3044
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link