RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3044
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link