RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
36
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3044
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link