RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
37
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2836
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99C5316-026.A00LF 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link