RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2836
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link