RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2666
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link