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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
54
周辺 -145% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
22
読み出し速度、GB/s
3,573.5
17.7
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
13.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
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