RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
65
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2129
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link