RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.3
    テスト平均値
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    60 left arrow 65
    周辺 -8% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 1,592.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 60
  • 読み出し速度、GB/s
    3,580.8 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,592.0 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    572 left arrow 2129

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAMの比較

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB RAMの比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
メモリRAM