RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
12.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2893
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link