RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
27
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2893
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link