RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
44
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
8.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2562
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link