RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
12.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3021
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link