RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
66
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1985
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link