RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
73
Rund um -152% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
13.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2854
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMT84GL7AMR4C-RD 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link