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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
3,510.5
15.4
写入速度,GB/s
1,423.3
13.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2854
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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