Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

总分
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Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

差异

  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    67 left arrow 186
    左右 -178% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    6.2 left arrow 3.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    3.4 left arrow 2.0
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    186 left arrow 67
  • 读取速度,GB/s
    3.9 left arrow 6.2
  • 写入速度,GB/s
    2.0 left arrow 3.4
  • 内存带宽,mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    536 left arrow 1076
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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