Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Note globale
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Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Différences

  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 12800
    Autour de 1.33% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    67 left arrow 186
    Autour de -178% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    6.2 left arrow 3.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    3.4 left arrow 2.0
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    186 left arrow 67
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3.9 left arrow 6.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2.0 left arrow 3.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    536 left arrow 1076
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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