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Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Comparez
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
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Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
67
186
Autour de -178% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6.2
3.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3.4
2.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
186
67
Vitesse de lecture, GB/s
3.9
6.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2.0
3.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
12800
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
536
1076
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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