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Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
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Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
総合得点
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
67
186
周辺 -178% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
6.2
3.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
3.4
2.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
186
67
読み出し速度、GB/s
3.9
6.2
書き込み速度、GB/秒
2.0
3.4
メモリ帯域幅、mbps
17000
12800
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
536
1076
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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