Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

相違点

  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33% 高帯域
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    67 left arrow 186
    周辺 -178% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    6.2 left arrow 3.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    3.4 left arrow 2.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    186 left arrow 67
  • 読み出し速度、GB/s
    3.9 left arrow 6.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2.0 left arrow 3.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    536 left arrow 1076
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較