Comparación de la memoria RAM Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Puntuación global

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 12800

En 1.33% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

67 186

En -178% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

6.2 3.9

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

3.4 2.0

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

536 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns