Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Различия

  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    67 left arrow 186
    Около -178% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    6.2 left arrow 3.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    3.4 left arrow 2.0
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    186 left arrow 67
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3.9 left arrow 6.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    2.0 left arrow 3.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    536 left arrow 1076
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения