RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB против A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
67
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
6.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
3.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
39
Скорость чтения, Гб/сек
6.2
15.1
Скорость записи, Гб/сек
3.4
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1076
2478
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Сравнения RAM
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link