Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Gesamtnote
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A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    39 left arrow 67
    Rund um -72% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.1 left arrow 6.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 3.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 12800
    Rund um 2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    67 left arrow 39
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.2 left arrow 15.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    3.4 left arrow 10.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1076 left arrow 2478
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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