Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Razões a considerar
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

39 67

Por volta de -72% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.1 6.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.1 3.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 12800

Por volta de 2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1076 2478

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns