RAM-Vergleich Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Gesamtnote

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

67 186

Rund um -178% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

6.2 3.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

3.4 2.0

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

536 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns