Porównanie pamięci RAM Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Wynik ogólny

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 12800

Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

67 186

Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

6.2 3.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

3.4 2.0

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

536 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns