Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Różnice

  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    67 left arrow 186
    Wokół strony -178% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    6.2 left arrow 3.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    3.4 left arrow 2.0
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    186 left arrow 67
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3.9 left arrow 6.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2.0 left arrow 3.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    536 left arrow 1076
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania