RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3714
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link