RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
46
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.5
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
46
Vitesse de lecture, GB/s
11.1
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1348
2325
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link