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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
46
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
46
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
2325
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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