Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Note globale
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Note globale
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.3 left arrow 11.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.8 left arrow 8.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 10600
    Autour de 1.21% bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    41 left arrow 41
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.3 left arrow 11.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.8 left arrow 8.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2394 left arrow 1348
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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