RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
66
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
66
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1985
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link