RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
66
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
66
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1985
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link