RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link