RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
44
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
14.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3146
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link