RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
51
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
12.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2570
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link