RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
51
Por volta de 41% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
51
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
12.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2570
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link