Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Unterschiede

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 54
    Rund um 44% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 10.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.2 left arrow 6.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    23400 left arrow 8500
    Rund um 2.75 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    30 left arrow 54
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 10.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.8 left arrow 8.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 23400
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1479 left arrow 2259
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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