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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.6
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
8500
左右 2.75 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
54
读取速度,GB/s
10.6
10.4
写入速度,GB/s
6.8
8.2
内存带宽,mbps
8500
23400
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2259
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
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