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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
23400
19200
左右 1.22 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
54
读取速度,GB/s
16.9
10.4
写入速度,GB/s
12.0
8.2
内存带宽,mbps
19200
23400
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2259
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
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