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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
66
左右 -128% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
29
读取速度,GB/s
2,775.5
18.2
写入速度,GB/s
1,557.9
14.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3603
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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