Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

Unterschiede

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 37
    Rund um 19% geringere Latenzzeit
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.3 left arrow 10.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 6.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 8500
    Rund um 3.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    30 left arrow 37
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 15.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.8 left arrow 12.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1479 left arrow 2973
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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