RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2973
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link