RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
15.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3866
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link