RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3866
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link