RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
90
Rund um 67% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
90
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
8.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
1743
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link