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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
90
左右 67% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
90
读取速度,GB/s
10.6
15.6
写入速度,GB/s
6.8
8.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
1743
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
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