RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
41
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1348
2384
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link