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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
26
Velocità di lettura, GB/s
11.1
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1348
2384
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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